
功率半导体封装用
产品特点
- 在焊锡膏熔融时通过减压来减少空洞。
提高功率器件的散热性。 - 多段式减压控制,以减少因减压而发生的焊锡和助焊剂飞溅
- 由于采用基板连续搬送方式,因此可以构建联机型在线生产。
- 采用热效率较高的新型喷嘴,同时实现了均热性和节能
- 加热器温度设定最高可达380℃,
因此还能实现使用高熔点焊锡来封装功率器件。
炉体构成
减压回流
在焊锡膏熔融时减压以减少空洞。从而提高了功率半导体的散热性。
多段式减压控制,以减少因减压而发生的焊锡和助焊剂飞溅。
装置规格
SVR-625GT-C | ||
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设备尺寸(L×W×H) | 5,550×1,440×1,540mm | |
传送轨道高度 | 900±20mm | |
输送形态 | Pin-chain type | |
对应基板尺寸(W×L) | W:100-250,L:100-300,T:0.8-3.0mm | |
对应元件高度 | ≤10mm[OP:50mm]、≥10mm[OP:25mm] | |
加热部 | 5 | |
真空部 | 1 | |
冷却部 | 1 | |
输送链爪宽度 | 5 mm | |
氮气供应 | 炉内供给用 | ≧99.999%, ≧0.4MPaG, max. 400NL/min |
真空破除 | ≧99.999%, ≧0.4MPaG, max. 200NL/min(破除时间:8sec) | |
氮气标准使用量 | 对应元件高度(标准):≦10mm, ≧15mm | 400 NL/min |
电源 | 200V、max. 31kW、90A、3-phase |
※氮气供应量、用电量为标准规格的参考值。详情请咨询本公司销售部门。